郑州新闻汇总:那么问题来了:内存三巨头——三星、SK海力士、美光——凭什么敢这么涨价?

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内存条全线涨价,中国企业准备好了吗?

2026年刚开年,科技圈就上演了一出荒诞大戏。
一根256G的DDR5服务器内存,标价已经冲到了49999。你没看错,是将近5万一根。这要是按一盒100根来算,那就是将近500万。什么概念?上海内环一套房,差不多就是这个价。内存条,正式加入了”可以换房”的神奇商品行列,和茅台、大金砖并列。
更离谱的是,这轮涨价根本刹不住车。根据集邦咨询的最新数据,从2025年9月初到现在,DDR5内存的2Gbx8颗粒现货价格大涨307%,相当于原价的三倍多。
并且,涨价带来的痛感,正在各个领域蔓延。
例如车企那边日子就不好过。现在智能驾驶、智能座舱都离不开内存。蔚来最近就表示,今年汽车最大的成本压力来自内存涨价,这多出来的成本,要么自己扛,利润率进一步承压;要么转嫁给消费者,削弱产品竞争力,两头挨打。
对普通人来说,手机要涨价、电脑要涨价,甚至云盘会员费都要涨。为啥?因为云服务商的成本上去了。
阿里云、腾讯云这些大厂,这两年服务器采购成本里,存储芯片的占比越来越高。根据行业报告,当前存储芯片已占数据中心采购成本的40%,预计到 2025 年将突破50%。这部分成本,最终都会通过各种方式转嫁到消费者头上。
说白了,这是全球消费者在为少数巨头的暴利买单。
这事儿搁在五年前,你敢想?那会儿一根16G的内存条才两三百块钱,普通家庭装个电脑,内存条从来不是需要咬牙的支出。
那么问题来了:内存三巨头——三星、SK海力士、美光——凭什么敢这么涨价?
内存之困
直接原因很简单:他们把产能都切去给英伟达做HBM了。
HBM是什么?High Bandwidth Memory,高带宽内存。这东西是AI服务器的刚需,没有它,GPU的性能根本发挥不出来。
目前全球HBM市场99%的份额,被三星、SK海力士、美光三家牢牢攥在手里。其中,SK海力士作为全球首个量产第五代HBM产品的厂商,几乎垄断了英伟达的相关订单,2025年、2026年的产能全部售罄。僧多粥少,价格自然水涨船高。
但把目光放长远一点,这三家之所以敢这么玩,根源在于他们通过几十年的”反周期投资”,把竞争对手活活耗死了。
什么是反周期投资?说白了就是:当行业进入下行周期,大家都在亏钱的时候,我偏偏要加大投资、扩充产能、抢占市场。反正我钱多、底子厚,亏得起。等熬死了竞争对手,市场就是我一个人的天下。
这套玩法,三星玩得最溜。2008年金融危机前后,内存市场进入低谷,价格暴跌。韩国企业逆势扩张,硬生生把德国奇梦达、日本尔必达这些曾经的巨头拖垮了。奇梦达在2009年初宣布破产,尔必达在2012年初宣布破产。从此之后,全球DRAM市场就只剩下三星、SK海力士和美光三家玩家,合计占据超过95%的市场份额。
这种高度垄断的格局,意味着什么?意味着这三家拥有绝对的议价权。他们说涨多少,就涨多少;他们说供不应求,那就是供不应求。别人没有话语权,只能被动接受。
更狠的是,这三家还形成了某种默契。在利润最大化的共同目标下,他们很少打价格战。相反,每当市场需求下滑,他们就会心照不宣地减产、控制供应,把价格维持在高位。这种”囚徒困境”的反面教材,在存储行业愣是被玩成了”合作共赢”的典范。
所以当你看到一根内存条卖到4万多的时候,不要觉得这是市场的自然选择。这是垄断的必然结果,这是三巨头几十年处心积虑构建的定价霸权。
危局与突围
讲完了困境,咱们来直面一个更残酷的问题:在技术上追上内存三巨头,究竟有多难?
答案是:毫不夸张地说,现在制造内存的难度,已经快到物理禁区了。
我们先来科普一下DRAM的基本结构。一颗DRAM芯片里,有一个晶体管和一个电容器,组成一个基本的存储单元。这个单元有多大呢?
如果你拔下一根头发(直径约0.1毫米,即10万纳米),在这个横切面上,可以整整齐齐地排下约 2500 个 DRAM存储单元。
这比细菌还要小几百倍,甚至比病毒还要小。
当你手里拿着一根DDR5内存条时,你其实握着的是人类工程学的奇迹。
这也是为什么制造它需要ASML那样昂贵的光刻机——因为这就好比要在一粒米上,雕刻出一座完整的城市。
除了需要光刻机、还需要刻蚀机、需要薄膜沉积设备、需要化学机械抛光设备……每一种设备,都是人类工业智慧的顶尖结晶。
但设备只是第一步。真正的难点在于工艺本身。
除了因工艺节点不断缩小而导致的量子隧穿效应外,还有一个容易被忽视的难点:电容。
DRAM的存储原理是利用电容来存储电荷,电容越大,存储越可靠。但问题是,随着工艺微缩,电容的面积也得跟着缩小。面积缩小了,电容容量就会下降,数据保持时间就会缩短。目前最先进的DRAM工艺,电容容量已经接近物理极限的边缘。再往下走,可能真的就走不通了。
也正是因为这些原因,DRAM行业的技术门槛极高。全球能玩得转DRAM的企业,掰着手指头都数得过来。三星、SK海力士、美光,还有中国的长鑫存储。
面对如此悬殊的技术差距,国产替代做到什么程度了?
说实话,和十年前相比,进步已经非常大了。
2019年之前,中国在DRAM领域基本是空白。那时候内存一涨价,国内企业只能被动”挨宰”,一点脾气都没有。但现在不一样了。国内出现了长鑫存储、长江存储这样能够正面竞争的企业。华为的Mate系列、P系列手机,现在大量使用长鑫的LPDDR5内存和长江存储的闪存。
具体到产能,长鑫存储这几年的扩张速度相当惊人。从2019年的2万片/月,提升到2024年的20万片/月,年复合增长率接近60%。
长江存储那边也不遑多让,目前在全球NAND闪存市场已经占到约8%的份额,公司目标是2026年底前拉高到15%。随着武汉新厂区陆续投产,产能将占到全球供应量的20%左右。
这些数字看起来很提气,但我们必须保持清醒。
实事求是地说,长鑫和长江存储目前还背负不起”让全国人民用上白菜价内存”的重任。
长鑫的月产能即使扩到极致,和三星相比也就是一个零头。三星一个月的DRAM产能是多少?大约130万片。长鑫即使2026年达到30万片/月的目标,也只相当于三星的四分之一都不到。而且三星还在持续投资、持续扩张,差距并没有在缩小。
技术层面的差距同样不容忽视。目前长鑫量产的DRAM工艺主要是19纳米,而三星已经推进到了10纳米级别。更关键的是,先进制程需要的设备、原材料,很多还依赖国外供应商。
例如,光刻机依赖荷兰 ASML,刻蚀与薄膜设备依赖美国应用材料(AMAT)和泛林(Lam Research),而核心原材料如光刻胶、特种气体则高度依赖日本信越化学和 JSR 等厂商。一旦被卡脖子,扩产计划可能就会受阻。